Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC070N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC070N10NS5
BSC070N10NS5ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSC070N10NS5ATMA1, 100V drain-source gerilim kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. Sürekli dren akımı 80A'ye kadar çıkabilen bu bileşen, düşük on-state direnç (7mOhm @ 40A, 10V) sayesinde enerji verimliliği gerektiren uygulamalarda tercih edilir. 38nC maksimum gate charge değeri ile hızlı komutasyona uygun tasarlanmıştır. Surface mount 8-PowerTDFN paketinde sunulan transistör, güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC konvertörler ve endüstriyel sürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenli operasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok