Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC070N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC070N10NS3
BSC070N10NS3GATMA1 Hakkında
BSC070N10NS3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 100V çalışma gerilimi ile tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. Sürekli dren akımı 90A (Tc) değerine ulaşan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (7mΩ @ 50A, 10V) sayesinde enerji verimliliği gerektiren uygulamalarda tercih edilir. Gate charge değeri 55nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri mümkün kılar. TDSON-8 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uygun olup, -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. Motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC konvertörleri ve ağır akım anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4000 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 114W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 75µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok