Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSC070N10LS5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 14A/79A TDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSC070N10LS5

BSC070N10LS5ATMA1 Hakkında

BSC070N10LS5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET'idir. 100V Drain-Source gerilim (Vdss) ve 14A sürekli drenaj akımı (Ta=25°C) ile tasarlanmıştır. 7mΩ maksimum Rds(on) değeri ile güç yönetimi uygulamalarında düşük ısı kaybı sağlar. Surface Mount TDSON-8 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol, güç dağıtımı ve hızlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 20nC gate charge ve 2700pF input kapasitans ile hızlı komütasyon özelliği sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Ta), 79A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-7
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 49µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok