Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC0704LSATMA1
MOSFET N-CH 60V 11A/47A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC0704LSATMA1
BSC0704LSATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSC0704LSATMA1, 60V drain-source gerilimi ile tasarlanmış N-Channel MOSFET'tir. 47A Tc'de kontinü drain akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. 9.4mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlayan bu transistör, motor kontrol, DC/DC dönüştürücüler, anahtarlama güç kaynakları ve yük değiştirme uygulamalarında yaygın olarak yer alır. Surface mount 8-PowerTDFN pakette sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Düşük kapı yükü (9.4nC) ve 2.3V kapı eşik gerilimi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta), 47A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.4 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 36W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.4mOhm @ 24A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 14µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok