Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC0702LSATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A SUPERSO8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC0702LS
BSC0702LSATMA1 Hakkında
BSC0702LSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 60V N-Channel MOSFET transistördür. 100A sürekli drenaj akımı ve 2.3mΩ on-state direnç (Rds On) ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. SuperSO8 paketinde sunulan bu bileşen, düşük kaynaklanma direnci sayesinde ısı yayılımını azaltır. Anahtarlama hızı ve verimlilik gerektiren DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç yönetim sistemleri ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 4.5V ve 10V gate sürüş voltajında optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4400 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 49µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok