Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC067N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 15A/50A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC067N06LS3
BSC067N06LS3GATMA1 Hakkında
BSC067N06LS3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılmaktadır. 6.7mΩ on-resistance değeri ile düşük ısıl kaybı ve yüksek verimlilik sağlar. Surface mount 8-PowerTDFN pakette sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve enerji yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 69W güç dağıtımına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Ta), 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5100 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-5 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 35µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok