Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC060P03NS3EGATMA1
MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC060P03NS3
BSC060P03NS3EGATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSC060P03NS3EGATMA1, P-Kanal MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajı ve 17.7A (Ta) / 100A (Tc) sürekli drenaj akımı ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 6mΩ RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. Surface mount 8-PowerTDFN paketinde sunulan bu bileşen, enerji dönüştürme, güç kaynakları, motor kontrolü ve load switching uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17.7A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 81 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6020 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.1V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok