Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSC059N04LSGATMA1

MOSFET N-CH 40V 16A/73A TDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSC059N04LS

BSC059N04LSGATMA1 Hakkında

BSC059N04LSGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilim (Vdss) ile çalışan bu bileşen, 16A sürekli drenaj akımı (Ta @ 25°C) ve 73A dürtü akımı (Tc) kapasitesine sahiptir. 5.9mΩ on-resistance değeri ile düşük ısı kaybı sağlayan cihaz, güç yönetimi uygulamalarında, motor sürücülerinde, DC-DC konvertörlerde ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. 8-PowerTDFN SMD paketinde sunulan BSC059N04LSGATMA1, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 50W'a kadar güç dağıtabilir. ±20V maksimum gate gerilimi ile kontrol edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Ta), 73A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3200 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.9mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-5
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 23µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok