Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC059N03S G
MOSFET N-CH 30V 17.5A/73A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC059N03S
BSC059N03S G Hakkında
BSC059N03S G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 73A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 5.5mΩ (max) RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-PowerTDFN paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Hızlı anahtarlamalar için 21nC gate charge özelliğine sahiptir. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmış (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17.5A (Ta), 73A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2670 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 17.5W (Ta), 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 35µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok