Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC057N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC057N08NS3
BSC057N08NS3GATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSC057N08NS3GATMA1, 80V drain-source gerilimi ile çalışan bir N-channel MOSFET transistörüdür. 16A sürekli drenaj akımı (Ta) ve 100A darbe akımı (Tc) kapasitesi ile motor sürücüleri, güç yönetimi uygulamaları ve anahtarlama devreleri için tasarlanmıştır. 5.7mOhm (50A, 10V) on-state direnç ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount 8-PowerTDFN paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında güvenilir işletme yapabilir. 56nC gate charge ve 3900pF input capacitance özellikleri hızlı komütasyon gerektiren uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3900 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 114W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-5 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 73µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok