Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC057N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 15A/71A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC057N03MS
BSC057N03MSGATMA1 Hakkında
BSC057N03MSGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 15A sürekli dren akımı (Ta) ile tasarlanmıştır. Surface mount TDSON-8 paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance (5.7mOhm @ 30A, 10V) sayesinde güç uygulamalarında verimli çalışma sağlar. Gate gerilimi ±16V aralığında kontrol edilebilir ve eşik gerilimi (Vgs(th)) 2V @ 250µA'dir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç yönetimi devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. Yüksek sıcaklıkta (Tc) 71A kapasitesiyle daha yüksek akım taşıyabilir. Parça yeni tasarımlara önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Ta), 71A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3100 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-5 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok