Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSC057N03LSGATMA1

MOSFET N-CH 30V 17A/71A TDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSC057N03LS

BSC057N03LSGATMA1 Hakkında

BSC057N03LSGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 17A sürekli drenaj akımı (Ta @ 25°C) ile tasarlanmıştır. 8-PowerTDFN (PG-TDSON-8-5) yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. Düşük on-resistance değeri (5.7mΩ @ 30A, 10V) ile güç uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Motor kontrol, DC-DC konvertörleri, güç anahtarlaması ve yüksek frekanslı şalterleme uygulamalarında tercih edilir. 2.5W (Ta) ve 45W (Tc) güç dissipasyonuna sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Ta), 71A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-5
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok