Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSC054N04NSGATMA1

MOSFET N-CH 40V 17A/81A TDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSC054N04NS

BSC054N04NSGATMA1 Hakkında

BSC054N04NSGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 40V N-Channel MOSFET transistördür. 81A sürekli drenaj akımı (Tc), 5.4mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarda kullanılır. 8-PowerTDFN yüzey montaj paketinde sunulan bu FET, güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama güç kaynakları ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 34nC gate charge ile hızlı anahtarlamayı destekler. ±20V gate gerilimi toleransı ile geniş uygulamalar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Ta), 81A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.4mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-5
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 27µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok