Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSC052N08NS5ATMA1

MOSFET N-CH 80V 95A TDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSC052N08NS5

BSC052N08NS5ATMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen BSC052N08NS5ATMA1, 80V drain-source voltaj desteği ve 95A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile çalışan N-channel MOSFET transistörüdür. 5.2mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlayan bu bileşen, güç dönüşüm uygulamaları, motor kontrolü, LED sürücüleri ve yüksek akım anahtarlama devrelerinde kullanılır. PG-TDSON-8-7 yüzey montaj paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 2.5W (ambient) / 83W (kasa) güç tüketebilir. 10V gate sürüş voltajında 40nC gate yükü ve 2900pF input kapasitansi değerleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 95A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2900 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 47.5A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-7
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 49µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok