Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSC052N03S G

MOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSC052N03S

BSC052N03S G Hakkında

BSC052N03S G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 18A sürekli drenaj akımı (25°C'de) kapasitesine sahiptir. Maksimum 80A akım taşıyabilen bu bileşen, düşük 5.2mOhm on-resistance değeriyle enerji verimliliğini artırır. 8-pin PowerTDFN paketinde sunulan BSC052N03S, motor kontrol, güç dönüştürücüler, DC-DC konvertörler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 54W (sürü sıcaklığında) güç dağıtabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Ta), 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2820 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.8W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 40µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok