Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC052N03LSATMA1
MOSFET N-CH 30V 17A/57A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC052N03LS
BSC052N03LSATMA1 Hakkında
BSC052N03LSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilimi ve 57A (Tc) sürekli drenaj akımı ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 5.2mΩ (10V, 30A) düşük RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. 8-PowerTDFN yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, DC-DC konvertörlerde, güç yönetimi devrelerinde ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Ta), 57A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 770 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok