Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC050N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC050N10NS5
BSC050N10NS5ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSC050N10NS5ATMA1, 100V Drain-Source gerilimi ile tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 16A (Ta) / 100A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 5mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. 8-PowerTDFN paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, anahtarlama uygulamaları, motor sürücüleri ve DC-DC konvertörlerde kullanılır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ve 3W (Ta) / 136W (Tc) güç tüketimi kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici uygulamalarına uygun bir çözüm sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4300 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 72µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok