Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSC050N04LSGATMA1

MOSFET N-CH 40V 18A/85A TDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSC050N04LS

BSC050N04LSGATMA1 Hakkında

BSC050N04LSGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel power MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 85A (Tc) sürekli drenaj akımı ile yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-PowerTDFN (PG-TDSON-8-5) surface mount paketinde sunulur. Güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve enerji verimliliği kritik olan uygulamalarda kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 2.5W (Ta) / 57W (Tc) güç dağıtması yapabilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Ta), 85A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3700 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-5
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 27µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok