Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSC050N03MSGATMA1

MOSFET N-CH 30V 16A/80A TDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSC050N03MSG

BSC050N03MSGATMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen BSC050N03MSGATMA1, 30V drain-source gerilim ile çalışan N-Channel MOSFET transistörüdür. 16A sürekli (Ta) ve 80A (Tc) sürüş kapasitesine sahip bu bileşen, düşük on-direnç (5mOhm @ 30A, 10V) ile verimli güç dağıtımı sağlar. 8-PowerTDFN surface mount paketinde sunulan komponent, motor kontrol, güç yönetimi, şarj devresi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. -55°C ~ 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilen BSC050N03MSGATMA1, 4.5V ve 10V sürüş gerilimlerinde optimize edilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Ta), 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-5
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok