Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC050N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC050N03LS
BSC050N03LSGATMA1 Hakkında
BSC050N03LSGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilimi ve 18A/80A (Ta/Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesiyle, düşük güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 5mOhm On-Direnci (Rds On) ve hızlı anahtarlama karakteristiği ile enerji verimliliği sağlar. Surface Mount 8-PowerTDFN paketinde sunulan bu bileşen, değer anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC/DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygunluğunu gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Ta), 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-5 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok