Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC0504NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 21A/72A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC0504N
BSC0504NSIATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSC0504NSIATMA1, 30V drain-source geriliminde çalışan N-Channel MOSFET transistördür. Sürekli drenaj akımı 25°C'de 21A (Ta) ve junction sıcaklığında 72A (Tc) olup, 3.7mOhm maksimum Rds(on) ile düşük kayıp uygulamaları destekler. 8-PowerTDFN paket tipi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında kullanılır. Motor kontrolü, anahtarlama güç kaynakları, güç yönetimi ve enerji depolama sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Ta), 72A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 960 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok