Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSC0503NSIATMA1

MOSFET N-CH 30V 22A/88A TDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSC0503NSIATMA1

BSC0503NSIATMA1 Hakkında

BSC0503NSIATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında 22A sürekli drain akımı (Ta) ve 88A akımı (Tc) kapasitesine sahiptir. 3mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount TDSON-8 paketinde sunulur. -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığında çalışır. Gate charge 20nC ve Ciss 1300pF özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. DC-DC konvertörleri, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve Switch Mode Power Supply (SMPS) uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Ta), 88A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok