Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC0502NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 26A/100A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC0502NSI
BSC0502NSIATMA1 Hakkında
BSC0502NSIATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilimi ile 26A sürekli (Ta) veya 100A pik (Tc) akım kapasitesine sahiptir. 2.3mΩ @ 30A, 10V ile düşük RDS(on) değeri sunarak yüksek akım uygulamalarında verimli çalışma sağlar. 8-PowerTDFN paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motor sürücülerinde ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bileşen, hızlı anahtarlama ve düşük güç kaybı gerektiren uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 43W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok