Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC0501NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC0501NSIA
BSC0501NSIATMA1 Hakkında
BSC0501NSIATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ile çalışabilen bu bileşen, 25°C'de 29A ve junction sıcaklığında 100A sürekli drenaj akımı sağlar. 1.9mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı özelliği taşır. Entegre Schottky diyodu ile donatılmış olan cihaz, 8-PowerTDFN paketi içinde sunulmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. 33nC gate charge ve düşük input kapasitansi, hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Body) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2200 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok