Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC0500NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 35A/100A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC0500NSIA
BSC0500NSIATMA1 Hakkında
BSC0500NSIATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 35A (Ta) / 100A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 1.3mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük direnç özelliği sunar. 8-PowerTDFN paket türü ile yüzey montajına uygun tasarlanmıştır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Güç dönüştürme devreleri, motor sürücüleri, aydınlatma uygulamaları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. 52nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3300 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok