Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC047N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 18A/100A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC047N08NS3
BSC047N08NS3GATMA1 Hakkında
BSC047N08NS3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-kanallı güç MOSFET transistörüdür. 80V drain-source voltaj derecesinde tasarlanmış olup, 18A sürekli çalışma akımı (Ta) ve 100A maksimum akım kapasitesine sahiptir. 4.7mΩ düşük RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında verimli performans sunar. Surface mount 8-PowerTDFN paketi ile kompakt tasarımlara uygun, -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. DC-DC konvertörler, motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri ve ağır akım anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4800 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok