Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC046N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 17A/100A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC046N10NS3
BSC046N10NS3GATMA1 Hakkında
BSC046N10NS3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 17A sürekli drenaj akımı (Ta) / 100A (Tc) kapasitesiyle tasarlanmıştır. 4.6mΩ (max) on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. 8-PowerTDFN (PG-TDSON-8-7) yüzey montaj paketinde sunulur. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışır. Gate charge değeri 63nC, threshold gerilimi 3.5V (120µA)'dir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuştur (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4500 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 120µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok