Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC046N02KSGAUMA1
MOSFET N-CH 20V 19A/80A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC046N02KS
BSC046N02KSGAUMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSC046N02KSGAUMA1, 20V drain-source geriliminde çalışan N-Channel MOSFET transistörüdür. 80A sürü kapasitesi (Tc) ve 4.6mOhm maksimum on-direnç değeri ile düşük kayıp uygulamalar için tasarlanmıştır. 8-pin PowerTDFN paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, motor sürücüleri, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC konvertörlerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihaz, hızlı anahtarlama karakteristiği ve düşük kaptan yükü (27.6nC @ 4.5V) nedeniyle yüksek frekans uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Ta), 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27.6 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4100 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 50A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 110µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok