Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC042NE7NS3GATMA1
MOSFET N-CH 75V 19A/100A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC042NE7NS3
BSC042NE7NS3GATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSC042NE7NS3GATMA1, 75V drain-source voltajında çalışan N-Channel MOSFET transistördür. Sürekli drenaj akımı 100A (Tc) kapasitesiyle, düşük 4.2mOhm @ 50A RDS(on) değerine sahiptir. 8-pin PowerTDFN paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi devreleri ve endüstriyel sürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında güvenli şekilde çalışır ve 125W güç yönetimi kapasitesi vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4800 pF @ 37.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 91µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok