Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSC042N03S G

MOSFET N-CH 30V 20A/95A TDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSC042N03S

BSC042N03S G Hakkında

BSC042N03S G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 20A sürekli drain akımı (25°C'de) kapasitesine sahiptir. Pik akımı 95A'ye (Tc'de) ulaşabilir. 8-PowerTDFN paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 4.2mΩ RDS(on) değeri (50A, 10V'da) düşük kayıp ve yüksek verimlilik sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Bileşen artık üretilmemektedir (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Ta), 95A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3660 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.8W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-5
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok