Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSC042N03MSGATMA1

MOSFET N-CH 30V 17A/93A TDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSC042N03MSG

BSC042N03MSGATMA1 Hakkında

BSC042N03MSGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj desteği ile 17A sürekli akım (Ta) ve 93A akım (Tc) kapasitesine sahiptir. 4.2mΩ düşük on-resistance değeri ve 55nC gate charge ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. TDSON 8-pin yüzey monte pakette sunulan bu transistör, güç yönetimi uygulamaları, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve enerji verimli anahtarlamalı güç kaynakları gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve aktif parça statüsüne sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Ta), 93A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4300 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-5
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok