Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSC040N10NS5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 100A TDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSC040N10NS5

BSC040N10NS5ATMA1 Hakkında

BSC040N10NS5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drenaj akımı ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 4mOhm maksimum Ron değeri (50A, 10V şartlarında) düşük güç kaybı sağlar. TDSON-8 pakette sunulan bu FET, motor kontrol, güç dönüştürme, anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Surface mount montaj tipi ile compact PCB tasarımlarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5300 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-7
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 95µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok