Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC037N08NS5TATMA1
MOSFET N-CH 80V 22A/100A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC037N08NS5
BSC037N08NS5TATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSC037N08NS5TATMA1, 80V drain-source gerilim kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. 25°C'de 22A sürekli dren akımı ve ısıl kontakta 100A kapasitesiyle güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 3.7mΩ @ 50A/10V üzerinde çok düşük RDS(on) değeri, anahtarlama kayıplarını minimize eder. ±20V maximum gate gerilimi ve 3.8V threshold gerilimi ile kontrol devrelerinde esneklik sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışma aralığında güvenilir performans sunar. Surface mount 8-PowerTDFN paketinde sunulan bu transistör, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüler ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4200 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 72µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok