Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSC037N025S G

MOSFET N-CH 25V 21A/100A TDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSC037N025S

BSC037N025S G Hakkında

BSC037N025S G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source voltaj ve 21A sürekli drain akımı (Ta) / 100A (Tc) kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 3.7mΩ on-resistance değeri ile düşük kayıplı anahtarlama performansı sağlar. Surface mount TDSON-8 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç yönetimi, LED sürücüleri ve inverter devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 2.8W (Ta) / 69W (Tc) güç dağılım kapasitesine sahiptir. ±20V gate voltaj toleransı ile geniş kontrol aralığı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Ta), 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3660 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.8W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok