Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC036NE7NS3GATMA1
MOSFET N-CH 75V 100A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC036NE7NS3
BSC036NE7NS3GATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSC036NE7NS3GATMA1, 75V drain-source geriliminde 100A sürekli akım kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. 3.6mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlayan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-PowerTDFN yüzey montaj paketinde sunulan transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 10V kapı sürüş geriliminde 63.4nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Verimli güç dağıtımı ve kompakt tasarımı ile endüstriyel ve otomotiv elektronik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4400 pF @ 37.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 110µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok