Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC035N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 21A/100A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC035N04LS
BSC035N04LSGATMA1 Hakkında
BSC035N04LSGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj desteği ile düşük voltaj uygulamalarında kullanılır. 21A sürekli dren akımı (Ta @ 25°C) ve 100A darbe akımı kapasitesiyle güç yönetimi, motor kontrol, batarya yönetim sistemleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılan bir güç transistörüdür. 3.5mOhm düşük on-resistance (RDS(on)) değeri ile ısıl kaybı minimize eder. PowerTDFN-8 paket türü ile kompakt tasarımlar için uygun olup, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Gate charge karakteristikleri ve input capacitance değerleri hızlı anahtarlama operasyonlarını destekler. Yüksek yoğunluk entegrasyonu gerektiren uygulamalarda tercih edilen bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5100 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 36µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok