Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSC034N10LS5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 19A/100A TDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSC034N10LS5

BSC034N10LS5ATMA1 Hakkında

BSC034N10LS5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi ve 19A (Ta) / 100A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 3.4mΩ maksimum RDS(on) değeri (50A, 10V koşullarında) düşük kayıp uygulamalar için uygun olup, 2.5W (Ta) / 156W (Tc) güç yayınım kapasitesine sahiptir. 8-PowerTDFN (PG-TDSON-8-7) Surface Mount paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC konvertörler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 46nC Gate Charge ve 6500pF Input Capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama karakteristiği sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Ta), 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6500 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-7
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 115µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok