Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSC034N06NSATMA1

MOSFET N-CH 60V 100A TDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSC034N06NS

BSC034N06NSATMA1 Hakkında

BSC034N06NSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 100A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. Düşük On-resistance (3.4mOhm @ 50A, 10V) sayesinde enerji kaybı minimize edilir. Surface mount TDSON paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç kaynakları, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi yüksek akım gerektiren endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, hızlı anahtarlama karakteristiği ve düşük gate charge gereksinimi ile verimli tasarımlar sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3000 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-7
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.3V @ 41µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok