Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSC034N03LSGATMA1

MOSFET N-CH 30V 22A/100A TDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSC034N03LS

BSC034N03LSGATMA1 Hakkında

BSC034N03LSGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 22A (Ta) / 100A (Tc) sürekli drenaj akımı ile çalışan bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 3.4mOhm maksimum Rds(On) değeri ile düşük kaybı sağlar. Surface mount 8-PowerTDFN paketinde sunulan komponent, şarj kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç dağıtım sistemlerinde yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 2.5W (Ta) / 57W (Tc) güç dağılımına dayanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Ta), 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4300 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-5
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok