Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC032NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 22A/84A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC032NE2LS
BSC032NE2LSATMA1 Hakkında
BSC032NE2LSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 25V drain-source gerilimi ile tasarlanan bu transistör, 22A sürekli (Ta) ve 84A (Tc) akım kapasitesine sahiptir. 3.2mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-PowerTDFN paket tipi, ısı yönetimi için geliştirilmiş bir tasarıma sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralığında kullanımını mümkün kılmaktadır. MOSFET teknolojisine dayalı olarak, hızlı anahtarlama ve düşük kapı yükü (16nC) sayesinde DC-DC konvertörleri, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve enerji harita uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 2.8W (Ta) ve 78W (Tc) güç dağılımı kapasitesi uygulamaya göre esneklik sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Ta), 84A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok