Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSC032N04LSATMA1

MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSC032N04LS

BSC032N04LSATMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen BSC032N04LSATMA1, 40V drain-source gerilimi ile çalışan bir N-Channel MOSFET transistörüdür. 21A sürekli drenaj akımı (Ta) ve 98A peak akımı (Tc) kapasitesine sahiptir. 3.2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge değeri 25nC olup hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. 8-PowerTDFN paket formatında sunulan bu bileşen, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve yüksek entegrasyon gerektiren compakt tasarımlara uygun hale getirilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Ta), 98A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok