Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSC032N03S

MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSC032N03S

BSC032N03S Hakkında

BSC032N03S, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj derecesi ile 23A sürekli drain akımı (Ta) ve 100A darbe akımı (Tc) kapasitesine sahiptir. 3.2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük direnç kaybı sağlar. Gate charge 39nC ve hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Surface Mount 8-PowerTDFN paketinde sunulur. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığına dayanır. Güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC konverterler ve solar inverter uygulamalarında kullanılır. Yüksek akım anahtarlama işlemlerinde verimli performans gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Ta), 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5080 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 70µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok