Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC031N06NS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8-1
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC031N06NS3
BSC031N06NS3GATMA1 Hakkında
BSC031N06NS3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel power MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim ve 100A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 3.1mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine ve hızlı anahtarlama özelliklerine sahiptir. TDSON-8 (8-PowerTDFN) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamalarında, motor sürücülerinde, anahtarlamalı güç kaynakları ve enerji dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında işletim sıcaklığı aralığında çalışır ve 2.5W'lık düşük güç tüketimi sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11000 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 139W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 93µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok