Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC030P03NS3GAUMA1
MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC030P03NS3GA
BSC030P03NS3GAUMA1 Hakkında
BSC030P03NS3GAUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 25.4A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 3mΩ maksimum on-direnci sayesinde düşük güç kaybı sağlar. Surface mount 8-PowerTDFN paket tipi ile PCB entegrasyonu kolaylaştırır. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu bileşen, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrol devreleri, LED sürücüleri ve batter management sistemlerinde kullanılır. 125W güç dağıtım kapasitesi ile endüstriyel ve consumer elektronik uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25.4A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 186 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14000 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.1V @ 345µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok