Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSC030N04NSGATMA1

MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSC030N04NSGATMA1

BSC030N04NSGATMA1 Hakkında

BSC030N04NSGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltajında 23A (Ta) / 100A (Tc) sürekli drenaj akımı sağlayan bu komponent, 3mOhm (10V, 50A) on-resistance değeriyle düşük güç kaybı sunmaktadır. 8-PowerTDFN yüzey montaj pakajında sunulan BSC030N04NSGATMA1, anahtarlama devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrol uygulamalarında ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına ve 2.5W (Ta) / 83W (Tc) güç yayılma kapasitesine sahip olan bu FET, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamaları için tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Ta), 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4900 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 49µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok