Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSC030N03MSGATMA1

MOSFET N-CH 30V 21A/100A TDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSC030N03MS

BSC030N03MSGATMA1 Hakkında

BSC030N03MSGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile tasarlanmış olup, 25°C'de 21A ve 100°C'de 100A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 3mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamaları destekler. TDSON-8 surface mount paketi ile kompakt devre tasarımlarına uygun montajlanır. Geniş -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve güç kaynağı devrelerinde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Ta), 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5700 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok