Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSC030N03LSGATMA1

MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSC030N03LS

BSC030N03LSGATMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen BSC030N03LSGATMA1, 30V drain-source voltajında çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 23A sürekli akım (Ta) ve 100A tepki akımı (Tc) kapasitesiyle, düşük 3mOhm on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Surface mount 8-PowerTDFN paketi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uyumludur. Gate charge 55nC (10V) ve geniş -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığı ile güç dönüştürme, motor kontrol, LED sürücüsü ve switched-mode güç kaynağı uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Ta), 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4300 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok