Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC029N025SG
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC029N025SG
BSC029N025SG Hakkında
BSC029N025SG, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 25V Drain-Source gerilimi ve 100A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu transistör, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface Mount 8-PowerTDFN pakette sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi sistemleri ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5090 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 80µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok