Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC029N025S G
MOSFET N-CH 25V 24A/100A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC029N025S
BSC029N025S G Hakkında
BSC029N025S G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source voltajı ve 24A sürekli drain akımı (Ta'da) ile tasarlanmıştır. 2.9mOhm düşük on-direnç (Rds On) değeri sayesinde enerji kaybı minimize edilir. 8-PowerTDFN paket tipinde surface mount uygulamalarına uygun olup, güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve düşük gerilim güç dönüştürücülerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Bileşen artık üretim dışıdır (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5090 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 80µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok