Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSC028N06NSTATMA1

MOSFET N-CH 60V 24A/100A TDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSC028N06NS

BSC028N06NSTATMA1 Hakkında

BSC028N06NSTATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ile 24A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 8-PowerTDFN yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, düşük 2.8mΩ RDS(on) direnci sayesinde enerji dönüşüm uygulamalarında etkili çalışır. -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilen bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, elektrikli araç sistemleri ve endüstriyel güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 49nC gate charge ve düşük input kapasitesi hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A (Ta), 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3375 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-7
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.3V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok